FGH60N60SMD полевой транзистор с изолированным затвором (IGBT) 60A 600V Ultra Fast IGBT

FGH60N60SMD полевой транзистор с изолированным затвором (IGBT) 60A 600V Ultra Fast IGBT
Категория продукта:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Производитель:
Fairchild Semiconductor
RoHS:
Подробности
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:
600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.9 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер:
20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C:
120 A
Ток утечки затвор-эмиттер:
400 nA
Pd - рассеивание мощности:
600 W
Вид монтажа:
Through Hole
Упаковка / блок:
TO-247
Максимальная рабочая температура:
+ 150 C
Упаковка:
Tube
Торговая марка:
Fairchild Semiconductor
Минимальная рабочая температура:
- 55 C
Серия:
FGH60N60SMD
Размер фабричной упаковки:
450
Вес изделия:
6,390 g