Фонарь LED (противотуманка) дополнительный светодиодный 9 светодиодов 27W 12V 6000 K (пр-во LED,Китай)

Фонарь предназначен для использования как противотуманная фара, дополнительная подсветка автомобиля, а так же как дополнительные ходовые огни. Фонарь имеет железный (не ржавеющий) и одновременно герметичный корпус и не боится ударов, влаги, морозов. Свечение диодов довольно яркое, а благодаря наличию отражателей свет собран в пучок, что повышает качество освещения. В модельный ряд включены все наиболее подходящие для Вас размеры.
Монтаж фонарей довольно прост. Крепежные элементы идут в комплекте:
Параметры лампы: Самая последняя разработка от фирмы LED. Лампы имеют лучшее охлаждение, что способствует более продолжительной работе. Лампы светодиодные предназначены для всех марок автомобилей. Лампы обеспечивают довольно яркое свечение, стойкие к перепадам температур и имеют долгий срок эксплуатации 30000 часов. Одним из важных преимуществ светодиодных ламп - это низкое выделение тепла при свечении, а это значит что оно не воздействует на блок-фару, сохраняя ее характеристики на более продолжительный срок. (не портится отражатель, не тускнеет стекло). С развитием технологий изготовления светодиодных элементов яркость свечения автомобильных ламп привысила яркость галогенных ламп, даже по температурным параметрам и времени розжига, а также сроку эксплуатации остались далеко позади ксеноновые лампы.
Из выше перечисленных достоинств можно сделать вывод, что светодиодные автомобильные ламы - это лучший выбор для Вашего автомобиля.
Размер фонаря: Длинна 12 см Предназначение: дальний свет
Цветовая температура: 6000К
Гарантия: 3 месяца. ( гарантия осуществляется на любые внутренние поломки только при целостности оболочки ламп)
Описание и принцип работы светодиодной лампы.
Повышению энергоэффективности во всем мире в настоящее время уделяется много внимания. Энергоэффективность является одним из ключевых аспектов любой экономической деятельности. Требования к её повышению устанавливаются даже законодательно многими государствами с целью сохранения ресурсов. Светодиодное освещение гораздо более эффективно по сравнению с традиционными источниками света, его внедрение является приоритетным направлением развития. Появление нового рынка — рынка светодиодных устройств для осветительных целей, стало возможным благодаря существенному прогрессу в светодиодных и сопутствующих им технологиях. В 2007 году эффективность мощных светодиодов и светоизлучающих элементов светильников достигла сравнимых значений с эффективностью других существующих энергоэффективных источников белого света, в последующие годы она превысила данный показатель (см. рис. 1). Успехи в создании источников питания для светодиодного освещения с эффективностью 90% и более, обеспечении теплового режима, производства эффективных оптических систем послужили созданию новых высокотехнологичных источников света и формированию рынка светодиодного освещения.
Рис. 1. Динамика роста эффективности источников белого света.
Стоит отметить также успешное развитие технологий производства полупроводниковых компонентов и устройств, приводящее к сокращению энергопотребления и увеличению производительности как самих устройств, так и изделий, созданных на их основе. Технологии полупроводниковых соединений и устройств будут ключевой развивающейся технологией для использования в беспроводных сетях, а также для целого ряда гражданских и оборонных применений.
Светодиод. Назначение и свойства основных элементов светодиодов.
Светодиод — полупроводниковый источник некогерентного оптического излучения, принцип действия которого основан на явлении электролюминесценции при инжекции неосновных носителей заряда через гомо- или гетеро- p-n переход [1]. В настоящее время производятся светодиоды видимого, ультрафиолетового и инфракрасного диапазонов.
Светодиод состоит из полупроводникового светоизлучающего чипа, корпуса, проволочных выводов, соединяющих электрически светодиодный чип и электрическую разводку корпуса, материала-фиксатора чипа вкорпусе — клея или адгезива, или материала припоя в случае использования flip-чипов, оптического полимера или компаунда. Конструкция мощных светодиодов (рис. 2) дополнительно содержит диод, защищающий светодиод от электростатического разряда.
Светодиодный чип.
Основу любого светодиода составляет светодиодный чип. В литературе используют и слово «кристалл», однако оно не отражает всей технологической сложности изготовления внутренней структуры светодиодного чипа.
Первым этапом создания светодиодного чипа является послойное выращивание определённой полупроводниковой гетероструктуры на выбранном материале подложки. Состав и физические свойства гетероструктуры определяют длину волны излучения светодиодного чипа. Основными материалами, из которых изготавливаются светодиодные чипы, являются соединения GaN, AlN, InN, GaAs, GaP и их твёрдые растворы [2]. Физическое качество гетероструктуры, наличие или отсутствие внутренних дефектов и примесей коренным образом определяют эффективность светодиодного чипа и срок его службы.
Например, компания «Оптоган» обладает оригинальными запатентованными эпитаксиальными технологиями, позволяющими выращивать структуры InGaAlN на сапфировых подложках с особо низким количеством ростовых дефектов (дислокаций). Благодаря низкой концентрации дислокаций чипы, произведённые компанией «Оптоган», не подвержены ускоренной деградации при высоких токах и температурах, что увеличивает время жизни светодиодов.
Однако качественно выращенная эпитаксиальная структура ещё не означает получения качественного и эффективного светодиодного чипа. Исключительно важными являются последующие технологические шаги, позволяющие создать из полупроводниковой пластины готовые к постановке в корпус светодиодные чипы, формирования выводов, нанесения защитного оптического покрытия, то есть проведения так называемого процесса «упаковки». На данном производственном этапе, называемом «формированием чипов», пластины с выращенными на них гетероструктурами проходят несколько циклов фотолитографии, химического травления, нанесения защитных и буферных слоев и электрических контактов. Стабильность и технологическая чистота каждого из указанных процессов определяют не только качество готового чипа, но и его цену. Именно поэтому производители постоянно совершенствует каждый из отдельных процессов, доводя их до оптимального уровня. Сформированные чипы проходят визуальный контроль, определяются их оптические и электрические характеристики (рис. 3.). Затем пластина с чипами разделяется на отдельные чипы с помощью механической или лазерной резки. После этого чипы снова тестируются, сортируются и поступают для конечного монтажа чипа в корпус светодиода.
Рис. 3. Тестирование оптических и электрических характеристик светодиодных чипов на пластине, еще не разделенной на отдельные чипы
В процессе монтажа светодиодный чип соединяется с внешними контактами корпуса светодиода и покрывается оптическим полимером, зачастую силиконом. Качество соединения чипа с внешними контактами корпуса определяет не только способность светодиода безотказно работать при заявленных электрических параметрах, но и определяет степень и качество отвода тепла из активной области светодиодного чипа, что влияет на долговечность светодиода. Оптический полимер не только защищает поверхность чипа от механического воздействия, но также способствует увеличению вывода излучения из чипа. Непосредственно в оптическом полимере может быть растворен люминофор, спектр поглощения которого приходится на спектр излучения чипа. В этом случае спектр излучения светодиода будет равен сумме спектра излучения чипа и спектра переизлучения люминофора.
Основное назначение светодиодных чипов состоит в том, чтобы излучать свет. Однако в процессе работы устройства часть поступающей электрической энергии теряется, переходя в тепло. Чрезмерный нагрев светодиодного чипа приводит к изменению его характеристик, снижению срока службы и даже к выходу из строя. Задача исследователей и разработчиков состоит в том, чтобы снизить количество тепловых потерь. Этого можно достичь различными путями, в частности, за счет уменьшения количества и толщины слоёв используемых материалов в светодиодном чипе, улучшения эпитаксиального качества гетероструктуры чипа, создания структуры, обеспечивающей равномерное растекание тока и многими другими способами [4–6].