Плата УНЧ 200 Вт, LANZAR MOSFET, IRF640 IRF9640

Плата (без компонентов) для самостоятельной сборки усилителя мощности низкой частоты на полевых транзисторах 200Вт, LANZAR-MOSFET, на IRF640+IRF9640 (IRFP240+IRFP9240)
Uпит.макс --- +/-55 при Rнагр. 4 Ом.
+/-60 при Rнагр. 8 Ом.
Рмакс. --- 200 Вт при Rнагр. 4 Ом.
Uвх --- 1В.
Кусил. --- 28
Ток покоя --- 70-100мА
КНИ --- 0,04 (при 2/3 Р.макс)
Rвх. --- 27кОм
Отношение сигнал/шум --- 90дБ
Скорость нарастания Uвых --- 50В/мкС
Размер платы --- 98*72мм.
1. Резисторы R3, R6 рассчитать по формуле: R = (Uплеча - 15 В) / 0,01 (кОм).
2. Транзисторы VT5 -VT7, VT10 -VT13 разместить через изолирующие прокладки на радиаторе площадью не менее 1000 кв. см с применением теплопроводящей пасты.
3. Ток покоя 70 ...100 мА установить резистором R15 после прогрева усилителя под нагрузкой (через 15...30 мин работы). Перед установкой тока закоротить ХР 1 и снять нагрузку с ХР 3. Контроль установки тока покоя производится по милливольтметру, присоединенному к истокам VT12 и VT13 (или VT10 и VT11). Показания милливольтметра должны быть 30 ...44 мВ.
Плата качественная (см. фото), схема в комплекте!