МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники

МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
Техносфера
артикул: 315848632
СОГЛАСНО НАШИМ ДАННЫМ, ЭТОТ ПРОДУКТ СЕЙЧАС НЕ ДОСТУПЕН
965.00 грн.
Доставка из: Украина
   Описание
В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов. Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники.Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.
   Характеристики
categoryTitle: Учебники
   График изменения цены & курс обмена валют

Пользователи также просматривали