МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники

МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
Техносфера
sku: 939217
1,200.00 руб.-3%
1,168.00 руб.
Shipping from: Russia
   Description
В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) - одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов.
Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе - основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники.
Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.
   Technical Details
author: Акчурин Р. Х., Мармалюк А. А.
ISBN: 978-5-94836-521-3
series: Мир материалов и технологий
year: 2020
   Price history chart & currency exchange rate

Customers also viewed