Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов

Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов
Техносфера
артикул: 2623840
СОГЛАСНО НАШИМ ДАННЫМ, ЭТОТ ПРОДУКТ СЕЙЧАС НЕ ДОСТУПЕН
1,308.00 руб.
Доставка из: Россия
   Описание
В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий. Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей вузов.
   Характеристики
age: 12
author: Г. Красников
binding: Твердая глянцевая
ISBN: 978-5-94836-289-2
page_extent: 800
Type: book
Weight: 1.400
year: 2011
   График изменения цены & курс обмена валют

Пользователи также просматривали