Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов 2-е изд. испр.

Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов 2-е изд. испр.
sku: 686452
1,459.00 руб.
Shipping from: Russia
   Description
В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий. Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей вузов.
   Technical Details
author: Красников Г.Я.
ISBN: 978-5-94836-289-2
publisher: Техносфера
Type: book
year: 2011
   Price history chart & currency exchange rate

Customers also viewed