КР159НТ1В DIP8 матриця з двох n-p-n транзисторів (для побудови диференціальних підсилювачів)

КР159НТ1В DIP8 матрица из двух n-p-n транзисторов
(для построения дифференциальных усилителей)
Микросхемы представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Корпус типа 201.14-1, масса не более 1,0 гр.
Наименование
КР159НТ1В DIP8 Микросхема
Функциональный тип
транзисторная матрица
Типоразмер корпуса отечественный
2101.8-1
Типоразмер корпуса
DIP8
Торговая марка
ГАО ТОНДИ-ЭЛЕКТРОНИКА (Таллинн)
Страна происхождения
СССР
Вид приемки
"1"
Материал корпуса
пластмасса
Наличие паспорта -этикетки
есть
Вид упаковки
пластиковый бокс
Состояние упаковки
заводская
Кратность отгрузки
1
Цвет изделия
черный
Габаритные размеры L*W*H
9х9х6
Длина корпуса
9 mm
Ширина корпуса
6 mm
Высота корпуса
3 mm
Количество выводов или контактов
8
Длина выводов
7 mm
Количество выводов или контактов
8
Масса изделия, гр.
0,48
Транслитерация
Microcircuit KR159NT1B
Интервал рабочих температур
от +85 до -60 °С
Макс. допустимое напряжение эммитер-база
4 V
Макс. допустимое напряжение коллектор-база
20 V
Макс. допустимый импульсный ток коллектора
40 mA
Макс. допустимый постоянный ток коллектора
10 mA
Максимальная мощность рассеивания
50 mW
Примечание
Дата выпуска не указана
Микросхема КР159НТ1В ― Представляет собой сборку из двух биполярных п-р-п транзисторов, выполненна по планарной технологии с изоляцией элементов диэлектриком. Предназначена для использования в качестве базовой схемы дифференциального усилителя и других балансных схем в различных устройствах радиоэлектронной аппаратуры. Корпус типа 2101.8-1