Системы на кристалле со встроенными антеннами на наногетероструктурах А3В5

В сборник вошли статьи сотрудников Федерального государственного автономного научного учреждения&171;Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова&187; Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН), опубликованные в период 2010-2017 гг. по новым направлениям исследований наногетероструктур А3В5 (арсенид галлия и нитрид галлия): расчет и моделирование систем на кристалле с интегрированными антеннами и усилителями для крайне высоких частот, создание фотопроводящих антенн для терагерцевых устройств.Статьи использованы при выполнении работ по заказу Минобрнауки России в рамках: ФЦП&171;Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники&187; на 2008-2015 годы, ФЦП&171;Научные и научно-педагогические кадры инновационной России&187; на 2009-2013 годы, ФЦП&171;Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России&187; на 2007-2013 годы и на 2014-2020 годы.